1月5日 信息,据韩国朝鲜日报报道,三星DS部门存储业务部近期 实现了HBM4内存的逻辑芯片设计 。Foundry业务部方面也已经依据该设计,采纳4nm试产 。 待 实现逻辑芯片最后性能验证后,三星将提供HBM4样品验证 。

逻辑芯片即Logic die(又名Base die),对HBM 重叠 施展大脑作用,负责操纵上方多层DRAM芯片 。

报道 引用韩国市场人士说法,运行时发热是HBM的最大敌人,而在堆栈整体中逻辑芯片更是发热大户,采先进制程有助改善HBM4能效与性能 体现 。

除自家4nm创造逻辑芯片外,HBM4还导入10nm制程生产DRAM 。

HBM(High Bandwidth Memory)即高带宽存储器,重要 利用于高性能计算(HPC)、人工智能(AI)和图形 解决(GPU)等领域 。

HBM的 长处在于 攻破了内存带宽及功耗瓶颈 。其核心优势在于采纳了3D 重叠技术,将多个DRAM芯片垂直 重叠在一同,通过硅通孔(TSV)技术实现芯片间的高速信号传输,大大缩小了数据传输的 间隔和延迟,从而 能够以极高的带宽为 解决器提供数据 支撑 。

HBM 特点尤其 合适搭配GPU进行密集数据的 解决运算 。英伟达新一代AI芯片,均搭载HBM内存 。

HBM产品问世至今,HBM技术已经进展至第六代,分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3,HBM3e(HBM3的 扩充版本)以及HBM4 。

HBM1作为最早的版本,带来了128GB/s的带宽,开启了高带宽内存的 利用 。随后,HBM2、HBM3等相继问世,每一代都在带宽、容量和能效等 要害指标上实现了卓著 打破 。

从业界数据来看,HBM4 标准 支撑2048位接口和6.4GT/s的数据传输速率 。相比HBM3E,HBM4的单个堆栈带宽已达到1.6TB/s,极大地 晋升了内存系统的数据吞吐 威力, 能够更高效地满足人工智能、深度学习、大数据 解决和高性能计算等领域对内存性能日益 苛刻的需要 。

HBM供给商在各代产品中一般会推出不同堆栈层数的产品,如HBM3e的8hi(8层)及12hi(12层),而HBM4世代则规划了12hi及16hi 。

上一年11月,三星电子存储部门执行副总裁Jaejune Kim在第三季度财报发布后召开的电话会议上 示意,今年三季度HBM总销售额环比增进超过70%,HBM3E 8层和12层 重叠产品均已量产并开始销售,HBM3E的销售占比已 回升至HBM总销售额的10%左右,估计第四季度HBM3E将占HBM销售额的50%左右 。

三星的HBM4开发工作正在按 方案进行, 指标是在2025年下半年开始量产 。