12月29日 信息,长鑫存储低调推出DDR5内存以来,更多 底细被 发掘出来,好 信息也是接连不停,甚至第二代HBM2高带宽内存也有了重大 打破 。

据花旗银行的 综合报告,长鑫当初在DDR4上的初期良品率惟独20-30％,成熟后达到了90％ 。

得益于DDR4上的 丰盛 教训,长鑫DDR5从一开始的良品率就有40％,当前 巩固在80％左右,并且还在 接续改良,估计到明年底 能够 晋升到90％左右 。

长鑫当前在合肥有两座内存工厂,Fab 1重要生产DDR4, 使用的是19nm工艺,每月产能约10万块晶圆 。

Fab 2 专一于DDR5,用的是17nm工艺,当前月产能大约5万块晶圆,还在 延续 晋升中,估计到明年可翻一番 。

固然,三星、SK海力士等的DDR5内存已经 晋级到12nm工艺,所以长鑫仍有很大的 晋升空间 。

此外,长鑫还在 大力推动HBM高带宽内存,一方面 晋升一代HBM的产能,另一方面二代HBM2已经 获得重大 打破,正在给客户送样,估计明年年中可小规模量产 。

固然三大原厂已经量产HBM3、HBM3E,并马上推出HBM4,但关于长鑫来说,能搞定HBM2 依然是里程碑式的,关于国产化AI硬件的进展至关重要, 比方华为昇腾910系列加快器就依赖于HBM2 。

依据早先报导,长鑫从今年第三季度就开始 洽购HBM2生产 设施,尤其是需求更先进的封装技术, 波及TSV、KGSD等等 。