现在假如配新电脑,内存是16GB为主 。可十年前的电脑,也是16GB, 仿佛这些年内存出了技术从DDR3变成了DDR5,容量上 变迁不大 。但这一趋向在下个十年可能被 攻破 。

3D内存的野心

总部位于圣何塞的NEO半导体公司已经推出了3D X-DRAM 。这项 获得专利的DRAM技术有一个雄心勃勃的 指标,即 "解决DRAM的容量瓶颈并取代整个2D DRAM市场" 。依据公司的路线图,在DRAM中 利用 类似NAND的3D DRAM单元阵列将在2030年之前提供1Tb的内存IC 。

1Tb集成电路将 象征着有可能 绝对方便地在单个DIMM上安装2TB--每侧有8个芯片的双面DIMM将达到这一 指标 。 使用32个IC的4TB也是可能的 。显然,在 将来十年内,这更多的是用于服务器,而不是用户可能需求的任何东西,许多人 依然用8GB或16GB来对付 。请 留神,当前的内存解决 方案在注册的DDR4服务器解决 方案中,每个DIMM的最高容量为128GB, 使用32个32Gb的IC 。现成的DDR5注册DIMMs当前提供高达64GB(32个16Gb ICs), 只管更高容量的模块马上问世 。

同样,那是针对DRAM的,而不是某种闪存NAND 。然而NEO半导体公司已经开发了3D X-DRAM技术,至少从3D NAND得到了一些启示 。它 使用了据称是 "世界上第一个 类似于3D NAND的DRAM单元阵列 "来 遍及其容量 。不过,这其中有一些 要害的区别,并且NEO已经申请了各种专利来 掩护其 常识产权 。

NEO半导体公司在其新闻稿中提供了其新的3D X-DRAM的工作原理的一瞥 。新的存储器集成电路将 使用 类似于3D NAND的DRAM单元阵列,但我们也晓得该 构造是基于无电容的浮动体单元技术 。该公司 声称,这种 变迁 "简化了工艺步骤,提供了一个高速、高密度、低成本和高产量的解决 方案" 。

有助于 顺利机会的一个主要方面是,3D X-DRAM 能够 使用当代半导体创造技术来创造 。此外,该公司估量,"3D X-DRAM技术 能够用230层实现128Gb的密度,是今日DRAM密度的8倍" 。

传统路线一样高容量？

关于NEO半导体公司的密度 声称,三星公司当前最高密度的DDR5 DRAM IC的容量为16Gb 。三星是NAND和DRAM领域的主要 参加者,估计很快就会推出32Gb的IC 。 联合芯片 重叠,这应该能在2023年底/2024年头实现1TB内存模块 。这比NEO的2030年推出的 工夫框架早得多,而芯片 重叠的DRAM可能会更高 。

在AI浮现之前,我们现在的电脑可能除了做视频、图像 解决之外,没有什么 利用特殊吃系统性能 。但AI来了转变了 所有 。32G内存可能也不够用,复合模型64G内存起步 。12G显存跑Stable Diffusion只不过不炸显存的开始 。运行起来CPU、显卡一同满载让整个电脑嗷嗷风扇声,宛然在跑双烤 。但折腾AI的乐趣是无穷的,内存多大、CPU显卡多快都能能用到100%,但玩不转AI,显然要在很近的 将来被淘汰 。

现在众多人还没意识到自己电脑跑AI的乐趣,这两天上一个教程,教大家如何成为AI歌神,你就会发现跑AI乐趣无穷,单机TB级内存的时代快点到来吧！